この施設はシリコン カーバイド (SiC) の生産能力を前年比で 5 倍に増やし、オンセミ顧客への重要なコンポーネントの供給を確保するのに役立ちます。
米ニューハンプシャー州ハドソン–(BUSINESS WIRE)–(ビジネスワイヤ) — インテリジェント・パワーおよびセンシング技術のリーダー企業であるオンセミ(Nasdaq: ON)は本日、ニューハンプシャー州ハドソンにあるシリコンカーバイド(SiC)施設の開所式をテープカット式で祝いました。 このイベントと米国における半導体製造の重要性は、ジーナ ライモンド米国商務長官が率いる複数の主賓の出席によって示されました。 また、ニューハンプシャー州からジャンヌ・シャヒーン上院議員とマギー・ハッサン上院議員、ニューハンプシャー州第 1 選挙区からクリス・パパス下院議員、ニューハンプシャー州第 2 議会地区からアニー・クスター下院議員、その他の地方政府高官も出席しました。
このサイトは、2022 年末までに同社の SiC ブールの生産能力を前年比で 5 倍に増やし、ハドソンの従業員数をほぼ 4 倍に増やす予定です。炭化ケイ素粉末とグラファイト原料の調達から、完全にパッケージ化された SiC デバイスの提供まで。 これにより、onsemi は、SiC ベースのソリューションに対する急速に高まる需要を満たすために必要な供給の保証を顧客に提供することができます。 SiC は、電気自動車 (EV)、EV 充電、およびエネルギー インフラストラクチャの効率化に不可欠であり、脱炭素化への道のりにおいて重要な貢献者です。 SiC の対応可能な市場全体は、2021 年の 20 億ドルから 2026 年には 65 億ドルに、複合年間成長率 33% で成長すると予測されています。
「当社製品の市場をリードする効率性に加えて、供給が制約された環境における当社のエンドツーエンドの垂直統合ソリューションは、魅力的で差別化された競争上の優位性です。オンセミ。 「基板の生産能力を増強し、引き続き増強を計画しているため、すでに 2 番目の建物に拡張しており、顧客製品用に独自の最先端の SiC ウェーハを調達できるようになっています。」
onsemi は、エンドツーエンドの供給能力を備えた SiC および絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ (IGBT) ソリューションの唯一の大規模サプライヤです。 先週の第 2 四半期の収支報告で、同社は幅広い顧客ベースとの長期供給契約を通じて、今後 3 年間で 40 億ドルの SiC 収益を確約すると発表しました。 2022 年には昨年のシリコン カーバイドの収益を 3 倍にし、2023 年には収益が 10 億ドルを超え、SiC のリーダーシップに向けた onsemi の進歩をさらに強調します。
就任式は、バイデン大統領が CHIPS および科学法に署名してから数日後に行われます。 この法律は、サプライチェーンの回復力を強化し、経済のあらゆるセクターに影響を与える重要なコンポーネントの混乱を回避するのに役立ちます。
リボンカットセレモニーの写真と追加のSiC情報をご覧ください ここ.
おんせみについて
オンセミ (Nasdaq: ON) は、より良い未来を築くために破壊的なイノベーションを推進しています。 自動車および産業の最終市場に焦点を当て、同社は車両の電動化と安全性、持続可能なエネルギー グリッド、産業オートメーション、5G およびクラウド インフラストラクチャなどのメガトレンドの変化を加速させています。 オンセミ 高度に差別化された革新的な製品ポートフォリオを提供し、世界で最も複雑な課題を解決し、より安全でクリーンでスマートな世界を創造する道をリードするインテリジェントな電力およびセンシング技術を提供します。 オンセミ Fortune 500 に認定されています® 会社であり、S&P 500 に含まれています® 索引。 詳しくはこちら オンセミ で www.onsemi.com.
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